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   生長(zhǎng)方法

  Growth Method 

   VGF 

  摻雜類型

  Dopant 

  P型：鎵 

  p-type: Ga 

  N型：砷

  n-type: As

  晶片形狀

  Wafer Shape 

  圓形（尺寸2、3、4、6英寸）

  Round (DIA: 2’’, 3’’, 4’’, 6") 

  晶向 

  Surface Orientation * 

  (100)±0.5° 

  * Other Orientations maybe available upon request 

    其他晶向要求可根據(jù)客戶需求加工 

  電阻率 

  Resistivity  (Ω.cm) 

  根據(jù)客戶要求

  As Required

  位錯(cuò) 

  Etch Pitch Density (cm2) 

  ≤ 300 

  厚度 

  Thickness (μm) 

  175±25（或根據(jù)客戶要求）

  175±25 (or as required) 

  TTV [P/P] (μm) 

  ≤ 10 

  WARP (μm) 

  ≤ 15 

  IF** (mm) 

  32.5±1 

  **If needed by customer 

      根據(jù)客戶需要 

  主面拋光

  Surface 

   E/E, P/E, P/G